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SK海力士无锡厂受美国商务部管制半导体设备进口冲击,无法转进主流制程,在终端需求惨澹之下,将逆势调高21nm旧制程产能,加深消费型DRAM供给面疑虑,集邦科技预估,SK海力士的增产行动将冲击Consumer DRAM价格,本季价格落底无望,恐续跌10~15%。

美国商务部去年10月7日颁布半导体限制措施,中国境内18nm制程以下设备进口,需经商务部审查,SK海力士无锡厂获得一年的生产许可,但由于担忧地缘政治风险升高,加上需求清淡导致库存压力持续,于今年第一季开始减产,该厂每月投片量减少约30%。

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TrendForce分析,无锡厂主流制程为1Ynm,原先计画将产能持续转进1Znm,并降低旧制程产量,然而,未来制程转进受限于美禁令影响,故SK海力士决议提升21nm产线比重,该制程主要产品为DDR3、DDR4 4Gb,占SK海力士整体Consumer DRAM出货不到三成。

但TrendForce示警,由于SK海力士延长旧制程产线,小容量的Consumer DRAM供给量将会逐渐增加,台系供应链包括南亚科、华邦以及协助IC设计厂代工的力积电均供应DDR3 4Gb;DDR4 4Gb目前则以南亚科为主。

TrendForce从需求面观察,今年第一季Consumer DRAM需求端来看,因电视库存去化较早,因此SoC近期订单小幅增加,需求相对好转;车用需求虽有一定支撑,但目前市场规模仍小;网通需求能见度仍低,买方普遍保守看待,且认为下半年订单需求还会降低。TrendForce表示,尽管原厂陆续减产Consumer DRAM,但纳入库存水位计算,整体仍处供过于求,预估第二季均价仍有10~15%跌幅。

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